金佳钲一次性使用无创脑电传感器MS-S001

川械注准20192070079

金佳钲一次性使用无创脑电传感器MS-S001，作为麻醉深度指数监测的重要附件，以其优越的性能和人性化的设计，为医护人员提供了可靠的脑电信号采集解决方案。

一、脑电传感器产品概述

金佳钲一次性使用无创脑电传感器MS-S001，专为麻醉深度监测设计，采用一次性使用设计，确保了使用的安全性和卫生性。该传感器采用高质量材料制造，具有优异的导电性能和生物相容性，能够准确、连续地采集患者的脑电信号。

二、脑电传感器核心参数

存储温度：-10℃—40℃，确保传感器在储存过程中不受温度影响，保持其性能稳定。

存储湿度：不大于80%，避免湿度过高导致传感器受潮，影响其使用效果。

交流阻抗：≤1.2KΩ，低阻抗设计，确保信号的稳定传输，减少干扰。

内部噪声：≤150μV，低噪声设计，提高信号的采集精度，减少误判。

直流失调电压：≤70mV，确保信号的稳定采集，避免电压波动对监测结果的影响。

偏置电流耐受度：≤90mV，高耐受度设计，适应不同设备的电流输出，确保传感器的长寿命使用。

三、脑电传感器技术特点

2000次/秒采样速率：高采样速率，能够实时、准确地捕捉患者的脑电信号变化，为医生提供及时、可靠的监测数据。

高质量的脑电采集和传输：采用先进的信号处理技术，确保脑电信号的采集和传输质量，提高监测的准确性。